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137-2866-5346經(jīng)過專業(yè)人員從鍍膜工藝參數(shù)設(shè)定、硅片制絨面反射率及石墨舟狀態(tài)3 個(gè)方面對(duì)管式PECVD 鍍膜均勻性進(jìn)行了研究，結(jié)果表明：
1) 鍍膜過程中適當(dāng)降低腔體外層壓力，增加內(nèi)層氮硅比，降低射頻功率對(duì)片內(nèi)或片間均勻性有所改善。實(shí)驗(yàn)過程中，在保證良率的情況下，選擇外層壓力為1700 mTorr、內(nèi)層氮硅比為4.487、射頻功率為7600 W 時(shí)，調(diào)節(jié)DLV 優(yōu)化石墨舟各區(qū)溫度且定期清理腔體內(nèi)部碎片可改善鍍膜均勻性。
2) 在一定范圍內(nèi)，制絨面反射率增加，膜厚增大，片內(nèi)均勻性更優(yōu)。
3) 新石墨舟鍍膜均勻性明顯優(yōu)于舊石墨舟；在新石墨舟使用周期內(nèi)，運(yùn)行30 次時(shí)片間均勻性達(dá)到最優(yōu)。
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